深紫外LED灯珠原理与特征
　　1、深紫外LED灯珠发光机理：PN结的端电压组成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒降低，P区和N区的多数载流子向对方疏散。由于电子迁徙率比空穴迁徙率大得多，以是会泛起大量电子向P区疏散，组成对P区少量载流子的写入。这些电子与价带上的空穴复合，复适时获得的能量以光能的要领释放出去。这即是PN结发光的原理。
　　深紫外LED灯珠线光源固化装备
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　　2、深紫外LED灯珠发光功率：通常称为组件的外部量子功率，其为组件的内部量子功率与组件的取出功率的乘积。所谓组件的内部量子功率，原来即是组件自shen的电光转换功率，主要与组件自shen的特征（如组件资料的能带、弱点、杂质）、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出功率则指的是组件内部发生的光子，在通过组件自shen的吸收、折射、反射后，实践在组件外部可丈量到的光子数目。因而，对于取出功率的因素包罗了组件资料自shen的吸收、组件的几许结构、组件及封装资料的折射率差及组件结构的散射特征等。而组件的内部量子功率与组件的取出功率的乘积，即是整个组件的发光作用，也即是组件的外部量子功率。早期组件开展会集在前进其内部量子功率，主要措施是通过前进垒晶的质量及改动垒晶的结构，使电能不易转换成热能，进而直接前进深紫外LED灯珠的发光功率，然后可获得70%摆布的理论内部量子功率，可是这么的内部量子功聅hi负跸忠寻そ砺凵系募。在这么的qing况下，光靠前进组件的内部量子功率是不行能前进组件的总光量的，因而前进组件的取出功率便酿成主要的研究课题。现在的措施主要是：晶粒外型的改动——TIP结构，外表粗化手艺。

　　3、深紫外LED灯珠电气特征：电流控制型器材，负载特征相似PN结的UI曲线，正导游通电压的极小改变会导致正向电流的很大改变（指数品级），反向泄电流很。蟹聪蚧鞔┑缪。在实践使用中，应选择 。深紫外LED灯珠正向电压随温度添加而变。哂懈何露认凳。深紫外LED灯珠泯灭功率 ，一部门转化为光能，这是咱们需求的。剩余的就转化为热能，使结温添加。散发的热量（功率）可体现为 。
　　4、深紫外LED灯珠光学特征：深紫外LED灯珠供应的是半宽度很大的单色光，由于半导体的能隙随温度的上升而减。蚨⑸涞姆逯挡ǔに嫖露鹊纳仙砑，即光谱红移，温度系数为+2~3A/ 。深紫外LED灯珠发灼烁度L与正向电流。电流zeng大，发灼烁度也近似zeng大。此外发灼烁度也与情形温度有关，情形温度高时，复合功率降低，发光强度减小。
　　5、深紫外LED灯珠热学特征：小电流下，LED温升不显着。若情形温度较高，深紫外LED灯珠的主波长就会红移，亮度会降低，发光匀称性、一致衴uan洳。特殊点阵、大显示屏的温升对LED的可靠性、稳固性影响更为显著。以是散热妄想很关jian。
　　6、深紫外LED灯珠寿数：深紫外LED灯珠的恒久事情会光衰导致老化，特殊对大功率深紫外LED灯珠来说，光衰疑问越发严肃。在权衡深紫外LED灯珠的寿数时，仅仅以灯的损坏来作为深紫外LED灯珠寿数的终点是远远不够的，应gai以深紫外LED灯珠的光衰减百分比来划定LED的寿数，例如35%，这么更有意义。
　　7、大功率深紫外LED灯珠封装：主要思索散热和出光。散热方面，用铜基热衬，再毗连到铝基散热器上，晶粒与热衬之间以锡片焊作为毗连，这种散热要领作用较好，性价较量高。出光方面，选用芯片倒装手艺，并在底面和舮uan呙嫣砑臃瓷涿娣瓷涑鲈闾５墓饽，这么可以获得更多的有消出光。